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多晶硅材料小知识

作者:佚名 日期:2008年09月04日 来源:本站原创 人气:

多晶硅材料小知识A、太阳能级多晶硅料

技术要求:

总体要求:硅含量99.9999%
含硼量:<0.20ppba
含磷量:<0.90ppba
含碳量:<1.00ppba
金属含量:<30.00ppba
金属表面含量:<30.00ppba
尺寸大小要求:25mm---250mm
多晶种类:P型
电阻率:>0.50Ohmcm
B、破碎半导体级硅片

技术要求:

半导体级碎硅片
片子形状为圆弧形碎片
硅片厚度>=400um
型号为P型
电阻率:>0.50Ohmcm
C、小多晶硅

技术要求

1. 型号为N型,电阻率大于50ohmcn,碳含量小于5*1016/cm3,氟含量小于 5*1017/cm3

2. 块状为4mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物,最好为免洗料

D、直拉多晶硅

技术要求

1.磷检为N型,电阻率大于100ohmcm, 硼检为P型,电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um,碳含量小于1016cm3,氧含量小于1017 cm3

2. 块状小于30mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物,最好为免洗料

E、区熔头尾料

技术要求

1. N型,电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm

2. 块状大于 30mm

3. 区熔头尾料不能有气泡,不能有与线圈接触所造成的沾污,更不能有区熔过程的流硅或不熔物。

4. 最好为免洗料

F、直拉头尾料(IC料),最好为免洗料

1. N型,电阻率大于10ohmom

2. P型,电阻率大于 0.5ohmom

3. 块状大于30mm,片厚大于0.5mm

4. 直拉头尾料不能气泡,更不能有不熔物


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